关于电子设备和电路领域与技术的各个领域一样，是很少有基本原则随着时间而变化的。这些系统非常小，当前的操作速度确实是非凡的，每天新的小工具浮出水面，使我们想知道技术导致了我们的位置。但是，如果我们花一些时间考虑使用中的大多数设备是几十年前发明的，并且该设计技术早在1930年代就已经使用了，那么我们意识到我们所看到的大部分内容是这些设备的构建技术和应用不断改进，而不是开发新元素和从根本上新设计。结果是，在此讨论的大多数设备已经存在了一段时间，并且几年前的主题文本仍然是内容的好参考，内容并未发生太大变化。大多数变化都是在理解这些设备如何工作及其全部功能以及改进与它们相关的基础知识的方法的理解中。所有这一切的好处对这个主题的新学生的好处是，我们希望本文中的材料将达到一个相对容易掌握的水平，并且该信息将在未来几年内提出应用。

近年来发生的微型化使我们想知道它的限制。现在，完整的系统出现在晶圆上的数千倍以前网络的单个元素小数千倍。首先集成电路（IC）是由科学家杰克·基尔比（Jack Kilby）在1958年在德克萨斯州乐器工作时开发的。今天，英特尔五角星4处理器拥有超过4200万晶体管和其他组件的托管。最近的进步表明，十亿晶体管将很快放在比指甲小的硅滑片上。当然，我们已经达到了一个主要目的，仅仅是为了提供处理设备或系统的某些手段，并提供了与网络其余部分相关的机制。此外，小型化似乎受3个因素的限制：网络设计技术，半导体材料的质量以及制造和处理设备的限制。这是此处首次引入的设备中最简单的设备，但这是所有电子设备中最简单的，但是有多种似乎无穷无尽的应用程序。我们将两个主题用于该设备，以引入通常用于固态设备的材料，并回顾电路的一些基本定律。

电子设备和电路下的学习领域

半导体及其材料特性，用于费米级，载体浓度和载体迁移率的治理因子，载体漂移；扩散，；重组和载体寿命和连续性方程。P-N二极管特性和等效电路的定量分析，Schottky屏障二极管，欧姆接触，BJT Moderls-lod-频率和高频混合模型，Ebers-Mill模型。二极管和晶体管中的瞬态，JFET的低频和高频模型，MOS设备

NMO，PMO和CMOS。用于多阶段，放大器，宽带放大器，功率放大器，晶体管偏置方案和操作点稳定的耦合方案。反馈概念，负面反馈放大器的分析，振荡条件，各种振荡器的分析。

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