凝聚态物理学- 半导体形成

半导体形成

p_n当p - 和n - 类型的同一材料的p - 和n - 类型的半导体连接在一起以形成同型p_n交界处形成。

由于载体向相对侧迁移，电子从交界处迁移到相反的侧面，因此载体层的耗竭层偏向于载体，该层迁移到相反的侧面，该侧面从接线附近的受体杂质原子迁移并变得负电离。同样，供体杂质原子在n - 侧面靠近PN连接处 - 侧面有积极的电离，因此产生了潜在的障碍物或真实的电池。

向前偏置外部电池的正端子是否连接到p - 类型和负端子与n型宽度降低。

反向偏置，如果外部电池的正末端是否连接到N - 类型和负端子与P - 类型的负端子。潜在的障碍增加。缺失层宽度增加，电流是由于少数载体引起的。

请注意，当向前偏向电压时，屏障电势，大电流流以及反向偏向很小的电流流动时。因此，PN连接的行为非常像一个价值

电流方程p_n交界处

i = i_s[e_v/v_t^-这是给出的

在哪里反向饥饿电流，V =应用电位v_t=热电压

v_t= k_t/e = 0.026V在300 K.

其中k是玻尔兹曼的常量是电子的温度，而e是电荷。

动态或增量抗性

r =？v/？i = dv/di

称为动态电阻

从二极管的方程式

d_我/d_v= i_s/v_te v/n_t= i/v_t

如果二极管是前向偏见的

或r = D_v/d_我= v_t/i如果i = i m_A然后r_F= 26 O（低）。

ExpertsMind.com- 半导体形成分配帮助，半导体形成作业帮助，半导体形成beplay体育怎么安装师，半导体形成溶液，半导体形成答案，凝结物质beplay提款封号物理分配导师